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Dynamics of excitonic complexes bound to isoelectronic centers - Toward the realization of optically addressable qubits

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Publication Date2016-09-01
JournalPolyPublie (École Polytechnique de MontrĂ©al)
AuthorsPhilippe St-Jean

RÉSUMÉ: La rĂ©alisation de qubits pouvant ĂȘtre couplĂ©s efficacement Ă  des photons optiques est nĂ©cessaire pour rĂ©aliser la transmission d’information quantique Ă  longue distance, par exemple Ă  l’intĂ©rieur d’un rĂ©seau quantique. Le principal obstacle empĂȘchant la rĂ©alisation de ces qubits addressables optiquement vient de la grande difficultĂ© de trouver une plateforme offrant Ă  la fois une grande homogĂ©nĂ©itĂ© et un fort couplage optique. Les centres isoĂ©lectroniques (CIs),qui sont des impuretĂ©s isovalentes Ă  l’intĂ©rieur d’un matĂ©riau semi-conducteur, reprĂ©sentent une alternative fort intĂ©ressante aux systĂšmes de qubits adressables optiquement proposĂ©s dans la littĂ©rature, soit les boĂźtes quantiques auto-assemblĂ©es et les centres NV dans le diamant souffrant, respectivement, d’un fort Ă©largissement inhomogĂšne et d’un couplage optique moins grand que les CIs. En effet, la nature atomique des CIs leur assure une homogĂ©nĂ©itĂ© comparable aux centres NV et leur capacitĂ© Ă  lier des complexes excitoniques prĂ©sentant de forts moments dipolaires permet d’obtenir un couplage avec les champs photoniques aussi fort que dans les boĂźtes quantiques. Le but du travail prĂ©sentĂ© dans cette thĂšse est d’évaluer le potentiel de diffĂ©rents complexes excitoniques liĂ©s Ă  ces CIs pour fabriquer des qubits adressables optiquement. Cette thĂšse par articles est sĂ©parĂ©e en deux grandes sections. Dans la premiĂšre section, correspondant aux articles 1 et 2, j’ai Ă©tudiĂ© les caractĂ©ristiques physiques de qubits excitoniques liĂ©s Ă  des CIs d’azote dans le GaP (Article 1) et le GaAs (Article 2). Plus prĂ©cisĂ©ment, ces articles prĂ©sentent une analyse approfondie combinant des mesures de photoluminescence rĂ©solue dans le temps et des modĂšles de balance de populations afin d’identifier et de quantifier les diffĂ©rents mĂ©canismes impliquĂ©s dans la dynamique de recombinaison des excitons. Dans la seconde section, j’ai dĂ©montrĂ© l’initialisation d’un qubit de spin de trou liĂ© Ă  un centre isoĂ©lectronique de Te dans une matrice de ZnSe. Contrairement aux qubits excitoniques, la cohĂ©rence des qubits de spin n’est pas limitĂ©e par leur Ă©mission spontanĂ©e permettant ainsi d’atteindre des temps de cohĂ©rence beaucoup plus intĂ©ressants. Le premier article de cette thĂšse prĂ©sente une Ă©tude de la dynamique de recombinaison des excitons liĂ©s Ă  des CIs d’azote dans le GaP. Le principal avantage reliĂ© Ă  l’étude de ce systĂšme vient du fait qu’une grande variĂ©tĂ© de centres sont accessibles : ils peuvent ĂȘtre formĂ©s de 1,2 ou 3 impuretĂ©s d’azote et prĂ©senter diffĂ©rentes symĂ©tries Ă  l’intĂ©rieur du matĂ©riau hĂŽte. ABSTRACT: The realization of qubits that can be efficiently coupled to optical fields is necessary for long distance transmission of quantum information, e.g. inside quantum networks. The principal hurdle preventing the realization of such optically addressable qubits arises from the challenging task of finding a platform that offers as well high optical homogeneity and strong light-matter coupling. In regard to this challenge, isoelectronic centers (ICs), which are isovalent impurities in a semiconductor host, represent a very promising alternative to the well-studied epitaxial quantum dots and NV centers in diamond which suffer, respectively,from a large inhomogeneous broadening and a less effective coupling to optical fields than ICs. Indeed, the atomic nature of ICs insures an optical homogeneity comparable to NV centers, and their ability to bind excitonic complexes with strong electric dipole moments allows them to offer an optical coupling similar to quantum dots. The aim of the work presented in this thesis is to evaluate the potential of different excitonic complexes bound to these ICs for building optically addressable qubits. This thesis by articles, is separated in two parts. In the first part, corresponding to Article 1 and 2, I study the physics of exciton qubits bound to N ICs in GaP (Article 1) and in GaAas (Article 2). More precisely, these articles present an analysis combining time-resolve PL measurements and balance of population models, allowing to identify and quantify the different mechanisms involved in the exciton recombination dynamics. In the second part, I demonstrate the initialization of a hole-spin qubit bound to a Te IC in ZnSe. Contrary to exciton qubits the coherence time of spin qubit is not limited by their spontaneous emission, allowing to preserve coherence on a much more significant timescale. The first article of this thesis presents a study of the recombination dynamics of excitons bound to N ICs in GaP. The principal advantage of studying this system comes from the large variety of atomic configurations that can be accessed: ICs can be formed from one, two or three impurities, and exhibit different local symmetries inside the host lattice. Although it appears very challenging to realize optically addressable qubits in this system due to its low coupling to optical fields, it has allowed for a better understanding of how the atomic configuration of the underlying IC influences the different mechanisms involved in exciton recombination dynamics (capture, inter-level transfers, and radiative and non-radiative recombination).